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Telegram游戏:半导体厂倚重EUV 台厂吃补

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ASML极紫外光曝光机系统

微影设备业者艾司摩尔第一季已完成136台极紫外光曝光机出货,累计超过7,000万片晶圆完成EUV曝光。随着EUV微影技术推进,预期2025年之后新一代EUV曝光机每小时曝光产量可达220片以上,以因应客户端先进制程推进至埃米世代对先进微影技术的强劲需求。

虽然2023年半导体市况能见度低且不确定性高,但包括台积电、英特尔、三星、SK海力士、美光等全球前五大半导体厂仍积极投资EUV产能,加上制程推进会带动光罩层数增加,法人乐观看好家登、帆宣、公准、意德士(等EUV概念股明年营运将优于今年。

ASML日前说明EUV技术及曝光机技术蓝图,以目前主流的0.33数值孔径来说,2021年晶圆代工5奈米制程每片晶圆平均光罩层约逾10层,但2023年制程进入3奈米之后,每片晶圆平均光罩层约将倍增达20层。

DRAM制程目前采用EUV技术完成约5层光罩层量产,但明年后将提升至8层光罩层,部分制程将会采用多层曝光而达每片晶圆10层光罩层。

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过去几年包括晶圆代工厂及DRAM厂扩大资本支出建置EUV产能,ASML统计至今年第一季已完成136台EUV曝光机出货,累计采用EUV曝光的晶圆已超过7,000万片。

现阶段最新曝光机NXE:3600D的系统妥善率已优于前一代机型约达93%,并接近技术成熟的深紫外光机型的95%。

在每平方公分30毫焦耳的光源辐照能量情况下,NXE: 3600D每小时晶圆产出已达160片,较上一代机型提升18%。预计明年下半年推出的NXE: 3800E预计每小时晶圆产出可提升到195片以上,并有机会升级到接近220片,ASML亦说明将于2025年推出NXE:4000F新机型且每小时晶圆产出会大于220片,目标是再提升至240片。

虽然半导体市场进入库存去化阶段,但先进制程需求续强,台积电及三星将会在明年扩大3奈米EUV产能,英特尔今年底亦量产首款采用EUV技术的4奈米Intel 4制程。

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